TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. El transistor de potencia bipolar está diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación y conmutación de uso general. El TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN); y TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) son dispositivos complementarios

Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 50.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor complementario TIP31C
• Transistor equivalente a TIP32, TIP32A, TIP32B, NTE292
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
• Voltaje Colector – Emisor (VCE): -100V
• Voltaje Colector – Base (VCB): -100V
• Voltaje Emisor – Base (VEB): -5V
• Corriente Colector (IC): -3A
• Corriente Base (IB): -1A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 40W
• Ganancia Máxima (hFE): 50
• Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz