Microcontrolador CMOS de 8 bits, de bajo consumo. Arquitectura mejorada RISC, hasta 20 Mega Instrucciones por Segundo(MIPS). Larga duración en los datos almacenados en la memoria no volátil. Descripción Técnica Flash: 8KB. EEPROM: 512 Bytes. RAM: 1KB. GPIOs: 23 pines. Frecuencia de Operacion: hasta 20MHz, 2 contadores de 8 bits y 1 contador de 16 bits, USART serial programable, interface serial SPI, 6 canales PWM, 6 canales ADC de 10 bits. Voltaje de operación de 1.8 a 5.5V. Empaque: TQFP-32.
Transistor: PNP
Encapsulado TO-220
Número de pines: 3
Dimensiones : 28.9 mm x 10 mm x 4.4 mm
Corriente:
Colector: -6 A (máxima)
Base: -2 A
Voltaje
Colector-emisor VCEO : 100V
Colector- base VCBO: 100V
Emisor- Voltaje base VEBO: – 5 V
Saturación colector-emisor: -1.5 V
Pd – Disipación de energía (Tc=25°C): 65 W
Ganancia de corriente continua (hFE): 75
Producto de ganancia de ancho de banda fT: 3 MHz
Temperatura de Funcionamiento : -65 °C a +150 º C
Rango de voltaje de suministro: 3 V a 18 V
Corriente de entrada: 10 mA
Ancho de pulso de reloj (tW) : 60 ns
Cantidad máxima de etapas: 5
Número de salidas descodificadas: 10 salidas.
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a +125 ° C
Dimensiones: 20 mm x 8.4 mm x 7.1 mm
Peso: 1.5 g
Encapsulado: PDIP-16
Tipo: SCR
Voltaje inverso pico repetitivo máximo: 400 V
Corriente RMS de encendido: 4 A
Corriente transitoria no repetitivo: 20 A
Potencia pico de puerta: 500 mW
Temperatura de operación mínima: -40 °C
Temperatura de operación máxima: 110 °C
Encapsulado: TO-225
Número de pines: 3
Encapsulado: TO220
Polaridad: Positivo
Tipo de Salida: Fija
Tensión de salida fija: 12V
Corriente de salida: 1.5A
Voltaje de entrada principal: 11 V
Tensión de entrada máxima: 35 V
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C a +125 ° C
Contiene 4 compuertas independientes
Cada una de las cuales realiza la función lógica NAND
Transistor TIP41C
Tipo de Transistor: NPN
Encapsulado: TO-220-3
Número de Pines: 3
Dimensiones : 28.9 mm x 10 mm x 4.4 mm
Corriente:
Colector de CC: 6 A (máxima)
Base: 2 A
Voltaje:
Colector-Emisor (VCEO): 100 V
Emisor-Base(VEBO ): + 5 V
Colector-Base (VCBO ): 100 V
Saturación del colector-emisor: 1.5 V
Disipación de la potencia: 65 W
Ganancia de corriente continua (hFE) : 15hFE
Frecuencia mínima de Funcionamiento: 3 MHz
Temperatura de Funcionamiento : -65 °C a +150 º C
Voltaje Directo: 1 V.
Voltaje inverso RMS: 700 V.
Máximo voltaje inverso: 1000 V.
Máxima corriente sobretensión: 200A.
Corriente inversa: 10 uA.
Corriente directa: 3A.
Rango de temperatura: -65°C ~ 150°C.
Transistor NPN
IC max: 5A
IC pico max: 8A
IB max: 0.12A
PTOT: 65W
VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V
hFE min: 1000 (@ IC=3 A, VCE=3 V)
Diodo damper entre colector y emisor
Bajo voltaje de saturación colector-emisor
Encapsulado: TO-220
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad: Positive
Voltaje de salida: 1.2 V to 37 V
Corriente de salida: 1.5 A
Tipo de salida: Adjustable
Tensión de entrada, mín.: 4.2 V
Tensión de entrada, máx.: 40 V
Temperatura de trabajo mínima: 0 C
Temperatura de trabajo máxima: + 125 C
Regulación de carga: 0.5 %
Regulación de línea: 0.04 %/V
Serie: LM317
Altura: 9.15 mm
Longitud: 10.4 mm
Polaridad del transistor: PNP
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 100 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Tensión VCBO colector-base: 100 V
Corriente CC máxima de colector: 5 A
Corriente de corte máxima de colector: 200 uA
Decodificador BCD a 7 segmentos con salidas de colector abierto.
Utiliza display Ánodo Común.